Transistor KTB817, PNP
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Transistor KTB817, PNP

Indicatif de type : KTB817 Matériau du transistor : Si La polarité : PNP Dissipation maximale de la puissance du collecteur (Pc) : 100 W Tension maximale du collecteur-émetteur |Vce| : 140 V Courant de collecteur maximal |Ic max| : 12 A Max. Température de fonctionnement des jonctions (Tj) : 175 °C Ratio de transfert courant à terme (hFE), MIN : 60 Niveau de bruit, dB : - Paquet : TO3P

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Indicatif de type : KTB817 Matériau du transistor : Si La polarité : PNP Dissipation maximale de la puissance du collecteur (Pc) : 100 W Tension maximale du collecteur-émetteur |Vce| : 140 V Courant de collecteur maximal |Ic max| : 12 A Max. Température de fonctionnement des jonctions (Tj) : 175 °C Ratio de transfert courant à terme (hFE), MIN : 60 Niveau de bruit, dB : - Paquet : TO3P
RAD-KTB817, PNP
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